Ense3 - rubrique formation - cursus

Structures avancées de convertisseurs statiques - 5EUS5SAC

  • Volumes horaires

    • CM 17.0
    • Projet -
    • TD 23.0
    • Stage -
    • TP 20.0
    • DS -

    Crédits ECTS

    Crédits ECTS 5.0

Objectif(s)

Conversion statique avancée. Cette UE concerne l'étude de différentes topologies de convertisseurs (convertisseurs multi-niveaux, résonnants, …) et présente les architectures de drivers de semi-conducteurs associées.
• Structures de l'électronique de Puissance & filtrage
• Structures de Convertisseurs Quasi-Résonants et Résonants
• Drivers et Semiconducteurs

Acquis d'Apprentissage :
Au terme de cette UE, les étudiants seront capables de :

  • décrire les phénomènes statiques et dynamiques qui régissent la commutation des semi-conducteurs
  • expliquer le fonctionnement d'un convertisseur statique
  • calculer les éléments de filtrage
  • évaluer les contraintes électriques qui pèsent sur les différents composants d'un convertisseur en vue de leur dimensionnement
  • estimer l'importance des éléments parasites dans le fonctionnement des convertisseurs statiques

Responsable(s)

Herve CHAZAL

Contenu(s)

• Structures de l'électronique de Puissance & filtrage :
o Redresseurs de tension (pour mémoire), de courant et leurs associations
o Structures continu-alternatif (onde pleine et MLI)
o Convertisseurs multicellulaires
o PFC et Filtrage actif
• Structures de Convertisseurs Quasi-Résonants et Résonants :
o Interrupteurs quasi-résonants
o Application aux faibles puissances : Hacheurs et alimentations à découpage quasi-résonantes
o Application aux fortes puissances : Onduleur ARCP (Auxiliary Resonant Commutated Pole)
o Convertisseurs à Résonance : Série-Série, Série-Parallèle, …
o Application aux transferts d’énergie sans contact
• Drivers et Semiconducteurs
o Physique du semiconducteur
o Compromis Résistance ON / Bande de Valence / Surface
o Composants unipolaires – du Silicium au Diamant
o Composants bipolaires – de la diode à l’IGBT
o Architecture des drivers et impact du driver sur le fonctionnement de la cellule de commutation
o Critères de choix et dimensionnement

Prérequis

UE 4EUS3ELP Electronique de puissance (Filière IEE 2A)

Contrôle des connaissances

Session 1
Contrôle Continu (CC1)(50%) : un examen de Travaux Pratiques + un examen écrit en séance
Examen Terminal (ET1)(50%) : livrable écrit

Session 2
Contrôle continu (CC2) (50%) : la note de session 1 est reportée en session 2 (CC1=CC2), elle n'est pas rattrapable
Examen Terminal (ET2) (50%) : livrable écrit

Calendrier

Le cours est programmé dans ces filières :

cf. l'emploi du temps 2025/2026

Informations complémentaires

Code de l'enseignement : 5EUS5SAC
Langue(s) d'enseignement : FR

Vous pouvez retrouver ce cours dans la liste de tous les cours.

Bibliographie

J.P. Ferrieux, Alimentations a decoupage, convertisseurs a resonance : Principes, composants, modelisation

F.C. Lee, High-Frequency Resonant, Quasi-Resonant, and Multi-Resonant Converters.

S. Lefebvre, Composants a semi-conducteur pour l’electronique de puissance.

R. Perret, Environnement des composants electroniques de puissance

A. M. Trzynadlowski, Introduction to Modern Power Electronics