Volumes horaires
- CM 14.0
- Projet -
- TD 14.0
- Stage -
- TP 28.0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 5.0
Objectif(s)
Expliquer le fonctionnement physique des semiconducteurs de puissance
Décrire les interactions physiques dans les packages de semiconducteurs de puissance
Interpréter les formes d'ondes des commutations des semiconducteurs de puissance
Expliquer les interactions entre les gate drivers et les interrupteurs de puissance
Responsable(s)
Pierre LEFRANC
Contenu(s)
1. Semi-conducteurs de puissance
• physique des semiconducteurs : introduction, principes, modèles, comparaison
• Si, SiC, GaN : comparaisons
2. Composants interrupteurs de puissance
• du semiconducteur à l'interrupteur (MOSFET & IGBT)
• fonctionnements statique et dynamiques des MOSFET et IGBT
• nouveaux composants SiC-MOSFET et HEMT-GaN : vitesse de commutation, tenue en tension
3. Circuits de commande rapprochée (gate drivers)
• fonctions de base des gate drivers : transmission de signaux, puissance, buffer, protections
• architectures des gate drivers et répercussions sur les courants de circulation, mise en série
4. Cellule de commutation
• comportement d’une cellule de commutation : modélisation de la commutation
• calcul des éléments parasites dus au câblage
• dimensionnement et modélisation des éléments passifs
Contrôle des connaissances
Contrôle continu (CC1) : rapport de synthèse de BE/TP
Examen terminal (ET1) : DS de 2h
L'examen existe uniquement en anglais 
Calendrier
Le cours est programmé dans ces filières :
- Cursus ingénieur - Master inter SGB - Semestre 9 (ce cours est donné uniquement en anglais
) - Cursus ingénieur - Ingénieur IEE - Semestre 9 (ce cours est donné uniquement en anglais )
Informations complémentaires
Code de l'enseignement : 5EU9PES9
Langue(s) d'enseignement :
Vous pouvez retrouver ce cours dans la liste de tous les cours.
Bibliographie
Fundamentals of Power Semiconductor Devices - Baliga
Introduction to Electromagnetic Compatibility - Whiley and son - Paul