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Une formation multidisciplinaire
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Power Electronics Semiconductor Devices (IEE / M2-SGB) - 5EU9PES9

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  • Volumes horaires

    • CM : 15.0
    • TD : 15.0
    • TP : 30.0
    • Projet : -
    • Stage : -
    Crédits ECTS : 5.0
  • Responsables : Pierre LEFRANC

Objectifs

La mise en œuvre des composants semi-conducteurs est loin d’être triviale. En effet, le concepteur de convertisseurs statiques doit prendre en compte de multiples contraintes physiques afin de pouvoir utiliser les composants dans des conditions optimales et sans risque de les détruire.
Ce module d’enseignement vise à présenter le principe de fonctionnement des composants les plus utilisés aujourd’hui puis de montrer comment les piloter, les mettre en boîtier, les refroidir et, enfin, comment les insérer physiquement au sein de la cellule de commutation (règles de routage). Des notions de compatibilité électromagnétique (CEM) sont également abordées afin d’étudier l’insertion du convertisseur complet dans son environnement.

Contenu

1. Semi-conducteurs de puissance
•physique des semiconducteurs : introduction, principes, modèles, comparaison
•pilotage des composants : concepts, solutions, challenges, état de l'art.

2. Refroidissement
•mise en boîtier des semi-conducteurs,
•calcul des pertes et dimensionnement d’un refroidisseur pour des applications stationnaires et instationnaires.

3. Environnement électromagnétique
•comportement d’une cellule de commutation : modélisation de la commutation
•calcul des éléments parasites dus au câblage
•dimensionnement et modélisation des éléments passifs
•notions de base sur le rayonnement
•notions de base sur le blindage

4. Compatibilité électromagnétique
•introduction
•sources de perturbations
•victimes
•modélisation des câbles
•modélisation et mise en équations de la cellule de commutation
•dimensionnement d’un filtrage CEM

Prérequis

« Electronique de puissance » IEE2
« Matériaux pour le génie électrique » IEE2

Contrôles des connaissances

Session normale
Contrôle continu (CC) : notes de BE (cellule de commutation, thermique, CEM) et d'une note d'exercice(s) d'évaluation portant sur les composants semi-conducteurs.
Contrôle terminal (CT) : épreuve écrite de 2h

Session de rattrapage
La note obtenue remplace la note de CT. Le CC n'est pas rattrapable.

CC 60% + CT 40%

L'examen existe uniquement en anglais FR

Calendrier

Le cours est programmé dans ces filières :

  • Cursus ingénieur - Master inter SGB - Semestre 9 (ce cours est donné uniquement en anglais EN)
  • Cursus ingénieur - Ingénieur IEE - Semestre 9 (ce cours est donné uniquement en anglais EN)
cf. l'emploi du temps 2019/2020

Informations complémentaires

Code de l'enseignement : 5EU9PES9
Langue(s) d'enseignement : FR

Vous pouvez retrouver ce cours dans la liste de tous les cours.

Bibliographie

Physics of semiconductor devices – Sze
Fundamentals of Power Semiconductor Devices - Baliga
Introduction to Electromagnetic Compatibility - Whiley and son - Paul (http://www.amazon.fr/Introduction-Electromagnetic-Compatibility-Clayton-Paul/dp/0471755001)

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mise à jour le 19 juin 2019

Service scolarité


Poser une question

04 76 82 71 65

Scolarité Apprentissage : 04 76 82 50 31
Grenoble INP Institut d'ingénierie Univ. Grenoble Alpes