Transferts radiatifs dans les plasmas thermiques
Forts de leur expérience collective en étude de terrain, les élèves ingénieurs de Génie Industriel réalisent un stage de 3 mois entre la deuxième et la troisième année.
Dépôts par ESD et ALD et caractérisations physico-chimiques de couches d'oxydes à l'échelle nanométrique pour la microélectronique
Fonctionnement sous méthane d’une pile à combustible « SOFC » : Optimisation des performances et de la durabilité
Etudes thermodynamique et expérimentale du dépôt ALD (Atomic Layer Deposition) de TaN et de son précurseur organométallique PDMAT, Ta[N(CH3)2]5, utilisé en microélectronique.
